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互訪對接

德國阿洛斯半導體公司首席技術官Dr. Atsushi Nishikawa來蘇州納米所訪問交流

  328日,應中科院納米器件與應用重點實驗室孫錢研究員邀請,德國阿洛斯半導體公司首席技術官Dr. Atsushi Nishikawa來蘇州納米所訪問交流,并作題為“High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon doping”的學術報告,相關領域老師與學生參加了此次學術報告會。 

  硅襯底GaNHEMT是一種非常重要的功率電子器件。但是,GaNSi之間存在很大的晶格失配和熱失配,因此,在硅襯底上生長高質量GaN是一項極具挑戰的工作。低質量的GaN存在高密度的缺陷,這些缺陷可能成為漏電通道,難以實現高阻態GaN的制備。為了解決這個問題,一般在GaN外延生長過程中,在外延結構的某些部位引入碳摻雜。但是引入碳摻雜之后不可避免的會帶來一些負面的影響,例如:動態電阻增加和GaN晶體質量的進一步退化。阿洛斯公司利用硅上GaN的側向外延技術和插層技術,制備了沒有碳摻的高阻態GaN和實現了精確的應力控制,基于此技術,在硅襯底上成功實現了7 μm厚的高質量GaN的外延生長。利用硅上外延生長的高質量GaN制備了HEMT,在600V時的垂直和橫向漏電低至0.003 μA/mm20.007 μA/mm;在1200V的電壓下,沒有發生物理性的損壞,臨界電場高達1.7 MV/cm,遠高于報道的1MV/cm,具有很好的開關性能(600V的反向偏壓下,動態電阻比值低于1.25)。對硅上的GaN功率器件的應用具有重要意義。 

  Dr. Atsushi Nishikawa是德國阿洛斯半導體公司的首席技術官,致力于III族氮化物的MOCVD生長方面已經超過十五年,具有豐富的經驗。創立阿洛斯公司之前,他曾擔任硅上外延GaN的先驅AZZURRO半導體公司外延研發主管和在NTT Basaic Research Labs和大阪大學從事與GaN相關的研究工作。加入阿洛斯公司之后,他繼續發展硅上外延GaN的技術并向客戶提供相關技術。 

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